不同製程溫度對RF-CBE成長InN薄膜之影響

本研究以射頻電漿化學束磊晶系統（RF-CBE）於c軸向藍寶石基板成長氮化銦薄膜，並以AFM、SEM、EDS與XRD等儀器分析氮化銦薄膜之表面形貌、顯微結構、化學成分及晶體結構。由實驗結果得知，於700°C之成長溫度，氮化銦薄膜為多晶態wurtzite結構，且具較高之沉積速率。於500°C成長時，氮化銦沿基板c軸趨向二維模式成長。綜合上述，製程溫度為控制氮化銦薄膜成長的一項重要參數，可應用於晶格不匹配之III-V族異質結構材料系統磊晶製程。