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篇名
邏輯元件製程技術藍圖概覽(上)
作者 Zsolt TokeiNaoto Horiguchi
中文摘要
本文將依照微縮技術的發展途徑,介紹前段製程中的全新元件架構,以及中段與後段製程中的新穎材料與整合方案,也會討論這些開發技術各自的市場現況、技術挑戰與原理。這些多元的微縮技術提供了晶片市場邁向1nm世代一條可能的通路。先進邏輯晶片的製造可細分成三大部分:前段製程(the front-end-of-line;FEOL)、中段製程(the十一月號2020 CTIMES 19middle-of-line;MOL)與後段製程(the back-end-ofline;BEOL)。前段製程包含處理晶片中的有源元件,也就是位於晶片底部的電晶體。電晶體當作控制電流的開關,透過三個電極運作;閘極(gate)、源極(source)與汲極(drain)。源極與汲極之間的導通通道電流可以切換開關,轉換工作則由閘極電壓控制。
起訖頁 18-22
刊名 CTIMES:零組件雜誌  
期數 202011 (349期)
出版單位 CTIMES(遠播資訊股份有限公司)
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