鈣離子延伸式閘極場效電晶體之研製與應用

本研究係利用延伸式閘極場效電晶體（extended gate field effect transistor, EGFET）製作感測元件，且利用聚合物之感測薄膜備製鈣離子感測器，其感測膜成分為聚氯乙烯高分子材料、癸二酸二辛酯塑化劑、離子選擇物ETH129及陰電性鉀離子錯合物。當EGFET之閘極感測膜與待測液接觸時，將於感測膜與待測液介面間形成一介面電位。對於不同之離子濃度，將形成不同之介面電位，藉此機制，EGFET可感測量鈣離子之濃度，並由I-V量測系統讀取感測之實驗結果。本研究之鈣離子感測器其感測線性範圍介於pCal-pCa4，其最佳感測度達到29.5 mV/pCa，而此範圍已包含市售牛奶之鈣離子濃度，於偵測牛奶之鈣離子濃度實驗中，其量測結果與實際濃度值之誤差百分率皆小於2%。