氧化銦鋅（IZO）非晶質薄膜擴散阻礙特性與銅製程整合

利用磁控濺鍍系統沉積氧化銦鋅（IZO）金屬擴散阻礙層薄膜，探討透明導電膜擴散阻礙層應用於積體電路銅金屬化製程之性質，本實驗以非晶質結構之氧化銦鋅200 nm，採用不同成分含量之氧化鋅（10 wt.%及5 wt.%）之擴散阻礙層，藉由小型高溫爐管施以300-900°C的溫度退火，利用4點探針（FPP）量測不同熱處理溫度下電阻率變化，以X光繞射分析（XRD）、穿透式電子顯微鏡（TEM）分析薄膜結構與相變化，以掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察薄膜表面型態，藉以探討不同成分之氧化銦鋅阻礙層之熱穩定性及電性。