自我鈍化型銅銦合金薄膜之固溶特性及電性之研究

本研究利用磁控共濺鍍法（co-sputter），在康寧Eagle2000玻璃基板上製備380nm厚之CuInx（x = 1.5-3.5 at.%）薄膜，改變不同的濺鍍功率以獲得不同的合金之成分。以EDS分析合金薄膜銦含量，並利用快速退火爐（rapid thermal annealer）對薄膜進行200-600°C，10-30分鐘之熱處理，最後利用XRD、TEM、FPP研究對合金薄膜結構及電性。由XRD圖顯示，只有Cu(111)與Cu(200) peak及In2O3 (104) peak產生，並無其他介金屬化合物生成。且實驗發現，銦在400°C氧氣氛熱處理之下從薄膜析出，並在表面形成氧化銦層，形成自我鈍化效果。且薄膜電阻率亦隨著銦合金含量比例減少而降低，銦合金含量為1.7 at.%之合金薄膜，經600°C 30分鐘熱處理後可達到2.92 µΩ.cm之最佳電阻率。銦合金含量比例在1.7 at.%以下之合金薄膜，經氧氣氛下做熱處理後，並無明顯氧化銦之相產生。且在氧氣氛下退火後電阻率較高。