聚焦離子束輔助沉積三維奈米懸浮結構技術之探討與應用

聚焦離子束系統（focused ion beam, FIB）具有許多重要與獨特的功能，目前已廣泛的應用於半導體工業上，其高能離子的特性，可應用於TEM試片製作與故障分析，結合氣體輔助系統，可用來進行光罩與IC電路的修補等。本研究希望藉由調整並找出聚焦離子束系統中相關參數對製程的影響，例如加速電壓、離子電流，以及蝕刻區域重疊的程度與離子束停留在單點時間長短等參數對沉積速率的影響，來達到三維奈米懸浮結構的製作。其中離子束電流的選擇攸關最後的製程結果是否符合預期，太大的電流使得蝕刻反應取代了沉積反應，若是電流太小則會導致浪費許多昻貴的氣體與延長製作的時間。本研究在嘗試許多參數的組合後，已順利完成三維奈米懸浮結構的製作。