以射頻反應磁控濺鍍製備P-type CuAIO2薄膜之研究

利用銅靶及鋁靶之反應性共沈積技術成長P-type透明導電膜銅鋁氧化物（copper aluminate oxide），成長CuAlO2薄膜在Si(400)及玻璃基板上。薄膜濺鍍時氣氛為Ar/O2 (3/2)，基板加熱至200°C再經由高溫退火製程使鍍膜結晶化。由X-ray繞射儀（XRD）分析，薄膜顯示為非晶結構，在可見光及UV光區域中顯示薄膜之光穿透率，約為70-80%。經公式推算其光學能係約為3.92 eV，薄膜片電阻值經四點探針量測約5×105 Ω/□，由熱探針量測顯示為P-type之半導體薄膜，而薄膜經退火後由XRD分析可得CuAlO2之結晶相。