非晶質Ta-Ni薄膜製備與銅金屬化製程整合

本研究係以直流磁控濺鍍法製備Ta0.4Ni0.6、Ta0.8Ni0.2及Cu薄膜，薄膜沉積在p-type(100)矽基板上，藉以探討Ta0.4Ni0.6、Ta0.8Ni0.2在半導體銅製程中作為擴散阻礙層之特性研究。本研究選用TaNi作為阻礙層之材料，希望藉其優異的導電性與非晶質結構提高阻礙特性。實驗使用快速退火爐（RTA）對Si/TaNi與Si/TaNi/Cu試片進行300°C-900°C之熱處理，用以探討不同參數的TaNi阻礙層之熱穩定性與電性質，並利用四點探針（FPP）、X光繞射分析儀（XRD）、掃描式電子顯微鏡（SEM）及歐傑電子能譜儀（AES）觀察薄膜的電性、微結構、相的變化與元素之縱深分佈。