磷化銦與氮化鎵的太赫茲技術挑戰

隨著無線通訊邁向6G太赫茲（THz）頻段，具備高頻與高功率優勢的化合物半導體－InP與GaN，正成為實現Tbps超高速傳輸與高精度感測的核心關鍵材料。
無線通訊技術即將從5G邁向6G，頻譜資源的開發已從毫米波（mmWave）進一步延伸至太赫茲（THz）頻段。