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篇名
物理系師生與美國加州理工學院合作,突破量子記憶體及半導體應用新技術
中文摘要
臺師大物理學系陸亭樺、藍彥文教授、張文豪博士後研究員與本校玉山學者、美國加州理工學院教授葉乃裳、郝篤行博士生合作,發現極低溫下,磁場誘導單層二硫化鉬(MoS2)電晶體極化序,突破量子記憶體技術的關鍵瓶頸,成果榮登國際期刊《先進材料》(Advanced Materials)及其卷首圖片,為全球量子科技和半導體業提供嶄新發展方向。
起訖頁 11-11
刊名 師大校訊  
期數 202504 (319期)
出版單位 國立臺灣師範大學
該期刊-上一篇 臺師大推動校學士學位,自由跨域,銜接職涯
該期刊-下一篇 物理系與中研院天文所攜手國際團隊,證實黑洞亮處偏移及旋轉軸遠離地球
 

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