從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率

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篇名	從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率
作者	Bill Schweber (Bill Schweber)
中文摘要	採用SiC的架構MOSFET效率更高、可靠性更好、熱管理問題更少，且佔用空間更小，是備受關注的下一代功率元件。本文以Cree／Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例，分析其效率和散熱能力方面的優勢，並說明如何使用此類元件進行設計。
起訖頁	76-81
刊名	CTIMES：零組件雜誌
期數	202110 (359期)
出版單位	CTIMES（遠播資訊股份有限公司）
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