多柱型零磁場閘極輔助SOT-MRAM元件，創新SOT-MRAM架構，提升新一代底層快取密度

要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；微縮性、動態功耗，以及可供量產且尺寸緊湊的零磁場磁矩翻轉技術。比利時微電子研究中心（imec）在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰。