新聞短波NO.78

意法半導體（ST）新推出兩款雙通道電氣隔離IGBT和碳化矽（SiC）MOSFET閘極驅動器，能在高壓電力轉換和工業應用中節省空間，簡化SiC和IGBT開關電路設計。IGBT驅動器STGAP2HD和SiC MOSFET驅動器STGAP2SICD利用意法半導體最新的電氣隔離技術，並採用SO-36W寬體封裝，可承受6kV瞬態電壓。