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CTIMES:零組件雜誌
201910 (336期)
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篇名
新一代記憶體發威,MRAM開啟下一波儲存浪潮
作者
王岫晨
中文摘要
STT-MRAM可實現更高的密度、更少的功耗,和更低的成本。此外,STT-MRAM也非常有可能成為未來重要的記憶體技術。不止可以擴展至10nm以下製程,更可以挑戰快閃記憶體的低成本。
起訖頁
66-69
刊名
CTIMES:零組件雜誌
期數
201910 (336期)
出版單位
CTIMES(遠播資訊股份有限公司)
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3奈米製程將是晶圓代工廠的顛峰之戰
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實現物聯網與雲端運算的新型記憶體技術
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