全球碳化矽業者技術與策略觀察專欄（一）：Cree謀轉型發展SiC獨霸碳化矽晶圓市場

相較於第一代半導體材料的矽（Si）與第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs），碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，更適合5G基地台、電動車充電樁等應用領域。