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篇名
微縮實力驚人 台積3奈米續沿用FinFET電晶體製程
作者 籃貫銘
中文摘要
台積電終於在今年第一季的法人說明會裡,透露了其3奈米將採取的技術架構,而出乎大家意料的,他們將繼續採取目前的「FinFET」電晶體技術。而這代表了台積電的製程微縮能力遠超乎市場想像,3奈米仍不是其極限所在。當製程下探,電路無可避免的會遭遇到控制的困難,產生如漏電、電壓不穩定等的短通道效應(Shortchannel Effects)。而為了有效抑制短通道效應,盡可能的增加電路的面積,提高電子流動的穩定性,就是半導體製造業者重要的考量,而鰭式電晶體(Fin-FET)架構就因此而生。
起訖頁 52-55
刊名 CTIMES:零組件雜誌  
期數 202007 (345期)
出版單位 CTIMES(遠播資訊股份有限公司)
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