2018原子層沉積技術發展與產業應用研討會

隨著元件結構朝向微小化、複雜化發展，傳統製程逐漸無法滿足需求。原子層沉積（atomic layer deposition, ALD）因優異的膜厚均勻性、精確膜厚控制與高階梯覆蓋率，受到業界注意並已廣泛使用於半導體產業中。中心自2003年起投入發展原子層沉積技術開發，除了發展薄膜製程外，亦投入自主建立系統，2014年起投入新穎材料與前驅物開發領域，建立「ALD聯合實驗室」，提供臺灣產學界完整的技術支援。