英飛凌在台發表氮化鎵功率元件新品，搶佔GaN市場龍頭

英飛凌（Infineon）日前在台灣宣布推出新一代GoolGaN 600 V增強型HEMT方案，以及專為其氮化鎵晶片所設計的驅動IC EiceDRIVER產品，能為電源產品帶來更佳的電源效率與功率密度，同時也能縮小裝置的體積，並進一步降低整體的設計成本。