發散電子束繞射技術觀測二維材料奈米級撓曲的新技術

物理研究所黃英碩研究員帶領的實驗團隊與瑞士的理論學者合作，發展了「發散電子束繞射技術」，能觀測二維材料奈米級撓曲。研究顯示，實驗取得的高角度繞射訊號中夾帶著石墨烯碳原子的三維位移資訊。我們發現使用低能量發散電子束（50-250 eV）局部照射石墨烯時，可觀測石墨烯的奈米級撓曲，位移的靈敏度可小至1A。由繞射圖形的細節可區分橫向及縱向撓曲，甚至可判定縱向相較於電子源方向為凸起或凹下。