工業應用中先進IGBT技術研究

過去10 年中，IGBT（絕緣閘極雙極性電晶體）技術在平面及溝槽式閘極結構中取得了很大進步。PT（穿通）、NPT（非穿通）及FS（場截止）IGBT技術都廣泛應用於逆變器應用中，比如UPS、太陽能及焊接機應用。即使在相同的IGBT技術與結構中，設計工程師們仍然需要平衡不同應用拓撲中的通態電壓及開關速度，這與MOSFET技術有很大不同。本文闡述先進IGBT 技術的基本原理並探討逆變器應用的主要拓撲。本文還討論了不同 IGBT 拓撲與閘極結構中的實際問題，包括SCWT（短路耐受時間）、熱效能及效率。