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元件封裝3D互連技術創新步伐,針對表徵和控制晶圓接合極度薄化的在線量測
作者 M. Liebens (M. Liebens)A. Jourdain (A. Jourdain)J. De Vos (J. De Vos)T. Vandeweyer (T. Vandeweyer)A. Miller (A. Miller)E. Beyne (E. Beyne) S. Li ( S. Li)G. Bast (G. Bast)M. Stoerring (M. Stoerring)S. Hiebert (S. Hiebert)A. Cross (A. Cross)
中文摘要
元件封裝技術的創新步伐從未如今日這般高速並且有趣。以往的資訊是經由導線傳送,而近年來,各種3D互連技術在封裝中直接將構件相連接。隨著3D互連密度呈指數級別的增長,線寬需要微縮至5μm或者更低(窄)。然而,目前的3D-SIC(3D堆疊IC)的互連技術並不能支持這樣高的密度。如圖1所示,通過並行的晶圓前段製程,並結合晶圓到晶圓(W2W)接合和極度晶圓薄化步驟,以及採用3D-SOC(3D系統晶片)整合技術方案,則可以讓3D互連密度提升。
起訖頁 90-95
刊名 CTIMES:零組件雜誌  
期數 201711 (313期)
出版單位 CTIMES(遠播資訊股份有限公司)
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