CMP佈局平坦化的階層式密度分析方法

Hieratical Layout Density Analysis for CMP Planarization

化學機械研磨（chemical-mechanical polishing, CMP）技術是目前後端製程所必須的程序，為提高CMP 程序後整體的平坦度，需在晶片佈局產生後加入虛擬金屬（dummy fill）填充。在安插虛擬金屬填充前，必須先對晶片佈局做密度分析，讓虛擬金屬有效的安插運用以防止虛擬金屬被安插在錯誤的地方。首先，本文提出階層式的方法來進行密度分析，作為計算各個方格（tile）需安插的虛擬金屬填充數量的依據。本文所提出階層式的密度分析方法，兼具執行效率與結果精確度的優點。以ISCAS89 測試電路組的實驗數據顯示，本文提出的密度分析方法，在效率與精確度都明顯優於固定分割密度分析方法（fixed-dissection density analysis）。