藍克賽基板上成長氧化鋅薄膜

本研究主要是以反應性射頻磁控濺鍍系統（reactive rf magnetron sputtering system）在新興壓電晶體材料藍克賽（langasite, LGS）基板上，改變濺鍍參數成長氧化鋅（zinc oxide, ZnO）薄膜，製作成一雙壓電層（ZnO/LGS）的複合壓電材料。所製作之薄膜經由X光繞射（X-ray diffraction, XRD）與掃描式電子顯微鏡（scanning electron microscopy, SEM）進行微結構分析，藉由控制氧分率與功率對氧化鋅薄膜之結晶特性、濺鍍速率與表面結構做研究探討。研究顯示本研究成功地在藍克賽基板上成長出具有(002) C軸優選取向之氧化鋅薄膜。所採用之製程條件在不加溫的條件下，改變不同濺鍍功率（100W~200W）與氧分率（15%~25%）來成長氧化鋅薄膜，其中在氧分率為20%、射頻功率為200W的製程條件下所製備氧化鋅結晶特性具有最強的(002)繞射峰強度、最大的濺鍍速率，橫截面微結構分析亦具有明顯之柱狀晶結構。