以六氟化硫為工作氣體之end-Hall型離子源輔助熱蒸鍍氟化鎂紫外光薄膜研究

傳統上利用離子輔助熱蒸鍍MgF2（ion-beam assisted deposition, IAD）都會使用氬氣（Ar）做為工作氣體，作為增加薄膜蒸鍍時的能量以改善膜層品質。然而在蒸鍍過程中，往往會有氟的喪失，造成所製鍍出的薄膜不是高品質的氟化鎂薄膜。因此我們嘗試使用六氟化硫（sulfur hexafluoride, SF6）做為工作氣體，它有著和氬氣一樣惰性氣體的優點，另外由於本身離子態所產生F-可增加MgF2之膜質純度，進而提升膜層穿透率。