透明導電ITO薄膜輻射損傷之特性分析

本研究討論透明導電ITO薄膜經γ射線35 krad累積照射後其光電與化學組態變化特性分析以了解ITO薄膜於太空輻射環境之應用性。實驗結果顯示，經輻射損傷測試ITO玻璃（35k-ITO）較原始ITO玻璃（00-ITO）其光學平均穿透率在波長350-550 nm範圍約衰減4.5%。X光繞射分析顯示35k-ITO其主(222)與(440)繞射峰值相較於00-ITO約有0.2°往高角度偏移的現像。化學組態分析中經輻射損傷照射後35k-IT0薄膜中氧原子其O 1s化學鍵結能，於532.2 eV能階位置出現一缺氧狀態能階峰值。霍爾效應量測顯示經輻射照射後35k-IT0玻璃其電阻率(ρ)呈現下降，霍爾移動率(µ)降低與載子濃度(n)增加的現象，ITO玻璃電性分別由原始狀態ρ00: 1.83×10-4 Ω·cm、µRT: 29.20 cm2/V·s與NRT: 1.16×1021/3改變至35 krad輻射照射的ρ35k: 1.76×10-4 Ω·cm、µ35k: 28.70 cm2/V·s與N35k: 1.23×1021 /cm3。