改善有機發光二極體之特性與OLED模擬軟體（ETFOS）之應用

因ITO表面與有機層間介面的狀態對元件的特性有一定程度的影響，故本實驗前處理製程中提出以UV光（波長350 nm）照射與傳統氧電漿清洗方式來處理ITO表面並加以比較，最後選擇以氧電漿清洗為前處理製程。而後實驗是先製作小面積（active area 0.36 cm2）之元件藉此找出有機層膜厚最佳化，首先分別調整NPB與Alq3之有機薄膜層厚度，結果發現當NPB厚度為40 nm且Alq3厚度為60 nm時元件所測得之亮度為10400 cd/m2 @10V，發光效率η=4.3 cd/A @9V。之後又利用摻雜C6希望可更提高元件之發光特性，結果發現小發光面積元件最大發光亮度為11000 cd/m2 @12V，發光效率η=5.2 cd/A @11V。並將所得之最佳膜厚製作於大面積（active area 30.95 cm2）有機發光二極體元件上，得到最大發光亮度為379 cd/m2 @10V，發光效率η=2.67 cd/A @9V，但為使發光區域更均勻的發亮，故在ITO基板上先鍍上一層十字狀的Au（5 nm），使電洞能由陽極均勻的注入到整個發光區域，此時可測得元件最大發光亮度為3057 cd/m2 @9V，發光效率η=12.047 cd/A @9V。此外實驗中也利用OLED模擬軟體（ETFOS）模擬摻雜DCJT之紅光OLED元件，使其與實驗所測得之光譜圖比對，並搭配調整模擬中複合區位置使模擬與實驗結果相匹配，藉以了解元件中電子電洞複合區域之位置，結果證實發光區域位於NPB層與Alq3層之介面處。