本研究使用超高真空射頻反應性磁控濺鍍系統，並利用光釋放能譜分析儀（OES）臨場監控在不同的氧氣與氬氣分壓比例下（PO/Ar）生長氧化鈦（TiOx）薄膜之光譜特徵，且據此獲得其金屬－中毒轉變行為。此一OES系統可監控鈦特徵波峰的強度（即流通量）變化並能快速的回饋至流量輸入控管單元，故可在任意特定中毒比例（即某一固定Ti流通量）下，生長性質均匀的TiOx薄膜。拉塞福背向散射能譜術（RBS）組成定量分析發現，TiOx的氧含量會隨著PO/Ar之上升而增加，且在中毒比例10%、25%（PO/Ar =0.09、0.12）分別獲得TiO0.07與TiO0.15，在50%中毒區（PO/Ar=0.15）可獲得計量比且導電性良好的TiO1.0(499 Ω·cm)，中毒比例為≥95% (PO/Ar =0.22、0.3)則可沉積TiO2薄膜。剛沉積之含氧量較高(x>1)的TiOx薄膜之掠角X光繞射圖譜並沒有明顯的波峰存在，但其他TiX及含氧量較低的薄膜(0 |
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