快速熱退火氣氛對化學浴沉積製備ZnS薄膜之影響

化學浴沉積技術（CBD）乃製備II-IV族半導體之硫化鋅（ZnS）薄膜的簡易方法。吾人利用不同種類鋅離子源及硫離子源調配為反應前驅物溶液，並於不同酸鹼性的環境下沉積於玻璃、矽晶片或高透光率材料基板表面。本文旨在於探討於化學浴沉積之Zns薄膜，在於不同氣氛（Ar, N2, O2）條件以快速熱退火製程（RTA）進行熱處理，以期能有效地提升Zns薄膜之緻密性與光電性質。針對Zns薄膜表面狀態、薄膜厚度、透光率與Zns薄膜能隙之分析量測，吾人將探討比較退火製程氣氛之最適化，如此可應用於製備高效應的CIGS薄膜太陽能電池中緩衝層薄膜。