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篇名
奈米電子元件
作者 張鼎張顏碩廷劉柏村
中文摘要
資訊的獲取、放大、儲存、處理、傳輸、轉換、顯示等,任何一樣都離不開電子元件,微電子元件技術早已經成為人類主要經濟的命脈。至於奈米電子元件未來的發展,將以更小且更快為目標:「更小」是指進一步提高晶片中電子元件的積集度,「更快」是實現更高的資訊運算和處理速度。在奈米電子元件的發展中,與現有積體電路製程的相容性,已成為能否成功開發出奈米電子元件的重要因素。本文針對目前較被廣泛研究的三種奈米電子元件:奈米尺度金氧半場效電晶體(Nano-scale MOSFET)、奈米晶體非揮發性記憶體元件(Nano-crystal nonvolatile memory device)及單電子電晶體(Single Electron Transistor, SET)作一簡要的敘述。
英文摘要
Electronic device is necessary for information accession, amplification, storage, process, transport, transfer and display. The microelectronic device technology has become the important part of global economy. The future trend of nano-electronic devices is much smaller and speedier. Smaller device can enhance the density of nano-electronic integrated circuit. High speed device can reduce the information processing time. In this article, we will introduce three important nano-electronic device: Nano-scale MOSFET, Nano-crystal nonvolatile memory device and Single Electron Transistor.
起訖頁 26-43
關鍵詞 奈米尺度金氧半場效電晶體奈米晶體非揮發性記憶體元件單電子電晶體Nano-scale MOSFETNano-crystal nonvolatile memory deviceSingle Electron TransistorSET
刊名 真空科技  
期數 200412 (17:4期)
出版單位 台灣真空學會(原:中華民國真空科技學會)
該期刊-上一篇 台灣深耕中的乾式真空邦浦技術
該期刊-下一篇 利用旋轉塗佈的方式快速且均勻的製備自組裝金奈米粒子
 

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