本研究探討Ge-pt、Cr-pt底層對於FePt薄膜磁性與微結構之影響。為了釋放Ge2Pt3化合物於基板間之應力,類島狀或顆粒狀之底層將形成,因此當FePt膜沉積於底層上,於400-800°C下退火並序化為L10相,將形成非連續態或孤立之FePt類島狀或顆粒薄膜,該結構對於磁化行為與矯頑磁力值均產生影響。相對的,序化L10之CrPt底層和L10 FePt之晶格匹配,因此FePt(001)之超晶格峰與(200)之基本峰的繞射強度隨CrPt之序化度增加而增加,而序化度亦隨退火溫度或膜厚增加而更有序。因此矯頑磁力值與矯形比之提升是由於底層之生長方向誘導FePt之序化(生長方向),此外,底層膜厚變化所造成之表面粗糙度對於FePt序化亦有所影響。 |