直流電弧離子沈積ITO透明導電薄膜研究

本研究是利用直流電弧離子鍍膜技術在低溫環境下於玻璃基板上沈積IT0透明導電薄膜，選用90/10 wt.%之ITO靶材；本研究中控制之製程條件包括：氧氣流量、基板偏壓。並對於沉積於玻璃基板上之ITO薄膜作相關特性量測分析，研究內容包括：電阻率、光穿透率以及微結構組織之結晶性等。實驗分析結果顯示，於鍍膜環境100°C左右，應用此直流電弧離子鍍膜技術，透過製程參數的調整，可獲得極低的電阻率≤3.5×10-4 Ω·cm以及光穿透率可達80%以上。而試片之電阻特性與光穿透率特性均可對應到薄膜之微結構組織之結晶性差異，並且與整體鍍膜製程條件之反應能量有極為密切之對應關係。