遵守摩爾定律的FD－SOI技術

按照摩爾定律，晶片可容納的電晶體數量每兩年提高一倍。然而，摩爾定律不只是在同一顆晶片上將電晶體數量增加一倍的技術問題。摩爾定律暗示，隨著晶片集成密度翻倍，功耗和性能都將會實現大幅度改進。在過去50年裡，半導體工業一直按照摩爾定律發展，因為晶片的三個要素——價格、功耗和性能始終牽一髮動全身。在可預見的未來，半導體工業雖然能夠繼續證明摩爾定律的正確性，但是，當發展到當今最先進的28奈米技術節點以下時，卻遭遇逆風阻擋前進步伐，因為在28奈米以後，技術複雜程度和製造成本都將大幅提升。綜合考慮價格、功耗和性能三個要素，完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD－SOI）是晶片製程向10奈米技術節點發展的最佳選擇。