赴南韓參加第十八屆原子層沉積技術研討會紀要

本中心ALD（Atomic Layer Deposition, ALD）團隊於原子層沉積製程與系統開發技術已有卓越的成果，具備ALD系統自主開發能力，並可根據客戶與製程需求，客製化1至12吋ALD系統，同時為符合低溫製程（≤250℃），建置電漿輔助原子層沉積系統（plasma-enhanced atomic layer deposition, PEALD），基板尺寸最大可達12吋，並進行電漿流場與分布模擬。在薄膜製程已成功開發出Pt, Ni, Ru/RuO₂, Al₂O₃, ZnO, ZnS,HfO₂, TiO₂, TiN, TaNₓ, Ta₂O₅, CuₓN等金屬與氮氧化物薄膜，並發表於每年ALD研討會上。