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篇名
化合物半導體打造次世代通訊願景
作者 王明德
中文摘要
寬頻通訊成為近年來行動設備的必備技術,而隨著應用領域的漸深漸廣,目前的4G通訊標準將逐漸不敷使用,在市場驅動下,5G標準的制定已積極展開,預計2020年,市場將出現商業化應用,高速傳輸對行動設備帶來嚴峻挑戰,新世代的行動設備需要滿足更高的溫度、功率、電壓、效能與抗輻射需求,就目前技術來看,具備寬能帶、高飽和速度、高導熱性和高擊穿電場強度等特色的化合物半導體碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)無疑是市場上高溫、高頻及高功率元件材料的最佳解答,根據YoleDevelopment的研究指出,2013年至2022年,SiC功率半導體市場年均複合將達38%,而2016年至2020年GaN射頻元件市場複合年增長率將達到4%,因此,如何積極因應此一趨勢,善用本身優勢布局市場,將是台灣半導體產業這幾年的重要課題。
起訖頁 40-42
刊名 CTIMES:零組件雜誌  
期數 201708 (310期)
出版單位 CTIMES(遠播資訊股份有限公司)
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