解鎖新一代3D NAND快閃記憶體的垂直間距微縮

3D NAND快閃記憶體有超過300層堆疊氧化層和字元線層，增加如此驚人的堆疊層數，必須採用附加的「微縮加速器」才能實現這點，其中一種微縮加速器是垂直間距微縮，這項技術與降低氧化層／字元線層的厚度有關，以堆疊更多的元件層。imec正在開發兩項實現垂直間距微縮的關鍵技術。