邁向長耐久性鐵電記憶體之介面應力工程與埃級層狀堆疊技術與挑戰

Challenges Towards Long-endurance Ferroelectric Memory with Interfacial Engineering of Multi-gate Stacking and Angstrom-laminated Techniques

近年來由於AI快速發展，到2025年，透過全球網路連接的元件數量預期達到750億顆，從這些元件產生的資料將達到175兆位元，其中大部分來自影像辨識與安全攝影機監控，解析資料並找到適合存儲資料的方法是急迫重要的。一般客戶端數據在邊緣收集與處理，部分則會處理後傳送，而更大部分則存儲在雲端。在GPT-4.5對資料分析和資料存儲不斷增長的需求，推動了記憶體/存儲技術往更高的密度和更寬的頻寬邁進。也因此，記憶體市場需求以能保存資料，快速讀寫、以及在失效前可以被寫入多少次(耐久性)成為市場勝出得關鍵指標。鉿基鐵電材料在這方面具備許多深具吸引力的競爭優勢，本文將以鉿基鐵電材料為例說明近年來的研究發展與最新製程上的突破並展望其面對的挑戰與機會。