單腔雙製程原子層沉積設備製備之透明導電膜研究

Research on transparent conductive film prepared by dual-process atomic layer deposition equipment with single-chamber

本文介紹一電漿增強式原子層沉積設備(plasma-enhanced atomic layer deposition , PEALD)，具有雙前驅物供料模組，可完成雙重異質薄膜製程。雙前驅物製程共用氣體擴散板產生電漿反應，並分別以三甲基鎵(Ga(CH3)3, TMGA)/三甲基銦(In(CH3)3, TMI)二種前驅物特氣管件與快速氣動閥搭配控制系統，以快速閥做脈衝式PEALD製程氣體切換，藉以實現PEALD雙製程共腔之技術建置。以氧化銦(Indium oxide, InOx)及氧化鎵(Gallium oxide, GaOx)為雙前驅物之製程反應物，藉由退火製程實現IGO薄膜，可進行異質薄膜堆疊之元件開發，藉以應用於矽堆疊型型電池及電晶體等元件。