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量子電子材料真空熱退火電子傳輸調控
作者 祁季偉陳柏諭 (Po-Yu Chen)郭俊偉王桓謙許鎮傑賴鵬宇陳柏瑋范宗昀吳孟庭黃嘉恩洪元志陳建翰李柏翰 (Po-Han Lee)鐘元良
中文摘要
自從單層石墨烯被發現後,量子電子材料已發展為未來下世代半導體的熱門傳輸材料。包括有能隙的SnSe2與狄拉克半金屬Cd3As2。由於這些量子電子材料常常只有數個原子層,以至於它們的表面效應非常的明顯且敏感,因此如何在真空電性量測環境中,經過真空熱退火處理後直接降低溫,進而得到本來無法呈現的電性與磁阻現象,是近年來一個很重要的技術課題。我們此文介紹從石墨烯做真空熱退火後,所得到的有趣的磁阻變化現象,一直到最近在中原大學電子系的量子電子材料實驗室所建立的高真空(10-6 Torr)低溫磁阻系統,所進行真空熱退火於石墨烯、SnSe2到狄拉克半金屬,皆呈現出有趣的磁阻變化現象。因此,期望此真空熱退火技術能夠作為未來低溫電性量測於量子電子材料電子傳輸調控的重要發展技術。
起訖頁 29-36
關鍵詞 量子電子材料真空熱退火磁阻
刊名 真空科技  
期數 202209 (35:3期)
出版單位 台灣真空學會(原:中華民國真空科技學會)
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