以end-Hall型離子源輔助熱蒸鍍硒化鋅光學薄膜之研究

本研究以離子輔助熱蒸鍍的方式（ion-beam assisted deposition, IAD）鍍製ZnSe光學薄膜，而鍍製過程中，固定工作壓力、蒸鍍速率、薄膜厚度以及氣體流量，改變離子輔助電壓由0V、20V、30V到40V以尋求最佳的鍍膜參數來鍍製出一高品質的光學薄膜。從研究結果可瞭解到離子輔助電壓對於薄膜的折射率、穿透率、堆積密度、消光係數等光學性質的影響性，此外我們還可以找到製鍍硒化鋅薄膜的最佳條件為離子輔助電壓30V時，此時得到膜層穿透曲線最貼近基板穿透曲線，膜層的折射率最接近塊材的折射率，而膜層的結構也最緊實，其堆積密度最接近1。