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篇名
從原理到實例:詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率
作者 Bill Schweber (Bill Schweber)
中文摘要
採用SiC的架構MOSFET效率更高、可靠性更好、熱管理問題更少,且佔用空間更小,是備受關注的下一代功率元件。本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例,分析其效率和散熱能力方面的優勢,並說明如何使用此類元件進行設計。
起訖頁 76-81
刊名 CTIMES:零組件雜誌  
期數 202110 (359期)
出版單位 CTIMES(遠播資訊股份有限公司)
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