臺灣半導體技術再突破，物理系聯合開發超薄鐵電電晶體

臺師大物理學系藍彥文和陸亭樺教授主導的聯合研究團隊，在臺灣半導體技術鐵電材料領域取得重大突破，開發出基於二維材料二硫化鉬（MoS2）的鐵電電晶體ST-3R MoS2 FeS-FET，為僅1.3奈米厚度且低操作電壓的半導體元件，解決傳統材料尺寸縮小與功耗降低的雙重難題，成果榮登國際期刊《自然電子》（Nature Electronics）。未來可作為非揮發性記憶體及低功率電子元件應用核心，提升我國半導體國際競爭力。