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篇名
高階晶片異常點無所遁形──C-AFM一針見內鬼
作者 許雅婷 (Ya-Ting Hsu)
中文摘要
從電性量測中發現晶片故障亮點,逐層觀察到底層仍抓不到異常?即使在電子顯微鏡(SEM)影像中偵測到異常電壓對比(VC)時,也無法得知異常點是發生在P接面還是N接面?本文為電性異常四大模式(開路、短路、漏電和高阻值)快速判讀大解析。
起訖頁 48-54
刊名 CTIMES:零組件雜誌  
期數 202404 (389期)
出版單位 CTIMES(遠播資訊股份有限公司)
該期刊-上一篇 推動全面數位化,銜接6G通訊,B5G打造知識密集型社會型態
該期刊-下一篇 常見問題一次掌握,胎壓偵測系統大解密
 

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