以SiC技術牽引逆變器延展電動車行駛里程

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篇名	以SiC技術牽引逆變器延展電動車行駛里程
作者	Timothe Rossignol
中文摘要	半導體技術革命催生了新的寬能隙元件，例如碳化矽(SiC)MOSFET功率開關，使得消費者對電動車行駛里程的期望，與OEM在成本架構下實現縮小里程之間的差距。
起訖頁	60-64
刊名	CTIMES：零組件雜誌
期數	202212 (373期)
出版單位	CTIMES（遠播資訊股份有限公司）
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