非銅金屬半鑲嵌製程實現窄間距雙層結構互連

銅雙鑲嵌製程在業界長跑20餘載，能夠穩定量產具備高可靠度的晶片內部導線。然而，隨著元件面積持續緊縮，金屬導線間距降至20nm以下，後段製程的電阻與電容（RC）因而大幅增加，加劇了電路傳輸延遲的問題。這就迫使相關產研單位去開發替代的整合方案與金屬材料，優化窄間距金屬導線的性能。