新一代單片式整合氮化鎵晶片

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篇名	新一代單片式整合氮化鎵晶片
作者	imec (imec)
中文摘要	氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。
起訖頁	16-20
刊名	CTIMES：零組件雜誌
期數	202205 (366期)
出版單位	CTIMES（遠播資訊股份有限公司）
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