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篇名
新一代記憶體發威,MRAM開啟下一波儲存浪潮
作者 王岫晨
中文摘要
STT-MRAM可實現更高的密度、更少的功耗,和更低的成本。此外,STT-MRAM也非常有可能成為未來重要的記憶體技術。不止可以擴展至10nm以下製程,更可以挑戰快閃記憶體的低成本。
起訖頁 66-69
刊名 CTIMES:零組件雜誌  
期數 201910 (336期)
出版單位 CTIMES(遠播資訊股份有限公司)
該期刊-上一篇 3奈米製程將是晶圓代工廠的顛峰之戰
該期刊-下一篇 實現物聯網與雲端運算的新型記憶體技術
 

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