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篇名
全球碳化矽業者技術與策略觀察專欄(一):Cree謀轉型發展SiC獨霸碳化矽晶圓市場
作者 約書亞
中文摘要
相較於第一代半導體材料的矽(Si)與第二代半導體材料的砷化鎵(GaAs),碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性,更適合5G基地台、電動車充電樁等應用領域。
起訖頁 18-21
刊名 CTIMES:零組件雜誌  
期數 202108 (357期)
出版單位 CTIMES(遠播資訊股份有限公司)
該期刊-上一篇 延續後段製程微縮,先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構
該期刊-下一篇 全球碳化矽業者技術與策略觀察專欄(一):Cree謀轉型發展SiC獨霸碳化矽晶圓市場
 

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