氮化鎵主動式單平衡降頻混頻器

本文採用主動式單平衡降頻混頻器製作於0.35μm氮化鎵HEMT元件於以矽為基板之製程上，所得轉換增益於射頻頻率為3.4GHz時，基頻功率為9dBm時，可達為8dB，1-db壓縮點為-2dBm，其頻寬為1.5~4GHz。階交互調變交叉點量測結果為16dBm，且頻率為1～6GHz時，隔離度均在-12dB之下，所製作的降頻混頻器具有良好的增益與線性度。