鑑往知來洞察不同應用的DRAM架構（下）

動態隨機存取記憶體（dynamic random accessmemory|DRAM）的類型多元，包含本文上篇所提到的常規DDR、LPDDR、GDDR等，然而上述DRAM發展之時並沒有3D革命。藉由3D技術—我們這裡指的是運用矽穿孔（throughsilicon-vias|TSVs），也就是晶片內部的垂直內連導線，這些導線能透過晶片之間的微凸塊（micro -bump）互連。運用多條尺寸極小的垂直內連導線，兩個相互堆疊的晶片就可能可以進行資料傳輸，這使得全新的晶片設計和架構成為可能。