寬能隙材料研究方興未艾SiC應用熱度持續升溫

隨著微電子技術的發展，傳統的Si和GaAs半導體材料由於本身結構和特性的原因，在高溫、高頻、光電等方面越來越顯示出其不足和侷限性。目前，人們已將注意力轉移到SiC材料，這是目前最成熟的寬能隙半導體材料（一般指能隙寬度>2.3eV）。近年來，SiC、GaN由於顯現出重要的軍事應用和良好的市場前景，許多國家紛紛將其列入國家級的發展策略投入巨資支持。早在好幾年前，美國就已經成立新一代電力電子元件國家製造創新中心，歐洲則啟動了LAST POWER產學研項目，日本也設立了下一代功率半導體封裝技術開發聯盟。美國計劃在接下來幾年，加速民用SiC、GaN等電子元件的研發和產業化，預計其帶來的節能效果將會等同於900萬戶的家庭用電總量。而目前中國發展寬能隙半導體也具有良好的機會與環境。